中新網(wǎng)合肥3月25日電(記者 張俊)記者25日從安徽大學(xué)獲悉，該校材料科學(xué)與工程學(xué)部團隊在磁性表征技術(shù)領(lǐng)域取得研究突破，成功開發(fā)出可在原子尺度解析反鐵磁序的新型表征方法，相關(guān)成果日前發(fā)表于國際權(quán)威期刊《自然·納米技術(shù)》(Nature Nanotechnology)。

　　反鐵磁材料因相鄰原子磁矩反向排列、整體無凈磁化強度，具備抗干擾能力強、響應(yīng)速度快等優(yōu)勢，是高速高密度信息存儲器件的理想候選材料。但這一特性也讓傳統(tǒng)表征手段難以捕捉其磁信號，現(xiàn)有研究多依賴大科學(xué)裝置，存在空間分辨率低、無法研究微區(qū)和界面等瓶頸。

　　針對這一難題，以安徽大學(xué)宋東升教授為核心的研究團隊，基于球差矯正透射電鏡研發(fā)出原子柱分辨電子磁圓二色譜測量技術(shù)。該技術(shù)通過提取單個原子柱的磁信號，并將信號強度提升一個數(shù)量級，突破了傳統(tǒng)技術(shù)信號弱、分辨率受限的問題，實現(xiàn)了原子尺度下反鐵磁序的清晰觀測。

　　研究團隊將該技術(shù)應(yīng)用于兩類典型反鐵磁體系，驗證了其普適性與可靠性，并在相關(guān)材料界面研究中，首次觀測到僅一個晶胞厚度的磁性死層，為理解界面磁性耦合機制提供了關(guān)鍵實驗依據(jù)。

　　本研究發(fā)展的原子分辨磁成像技術(shù)，突破了現(xiàn)有磁性表征技術(shù)空間分辨率的極限，為微觀磁結(jié)構(gòu)研究提供了新的研究工具，也為自旋電子學(xué)、先進磁存儲器件研發(fā)開辟新路徑。(完)