中新網(wǎng)5月22日電 全球閃存應用及移動存儲領域的領導者朗科公司日前發(fā)布了它的最新技術(shù)成果——“優(yōu)芯4號”。該芯片首次將閃存盤讀寫速度提高到了近40MB/S和20MB/S，是市面同類產(chǎn)品讀寫速度的2-3倍左右。同時，它的ECC糾錯能力達到8Bit，較以往提高了4倍。

　　“這是一款性能領先的USB2.0閃存控制芯片。它的誕生將進一步拉大朗科優(yōu)盤和其他閃存盤品牌之間的技術(shù)差距。”有分析人士表示，朗科此舉將閃存盤競爭帶入到“芯片級”高度，閃存盤“同質(zhì)化”時代或?qū)⒔K結(jié)。

　　滿足更高需求，“優(yōu)芯4號”應運而生

　　近年來，由于互聯(lián)網(wǎng)和多媒體技術(shù)的不斷發(fā)展，用戶的移動存儲數(shù)據(jù)量逐年暴漲。閃存盤的市場主流容量也水漲船高，從五年前的128M增長到目前的4G，累計增長了32倍，預計未來2年內(nèi)，市場主流容量將達到32G。

　　“以往人們從閃存盤讀取2G的資料通常需要十多分鐘的時間，”朗科有關(guān)人士表示，在閃存盤主流市場容量日益暴漲的今天， 這樣的讀寫速度顯然讓人無法忍受。

　　據(jù)悉，朗科“優(yōu)芯4號”控制芯片內(nèi)部采用了高速緩存加速技術(shù)、多通道技術(shù)、Interleave、Multi-Plane等技術(shù)，大大提升了閃存讀寫速度，用戶存儲2G數(shù)據(jù)只需要一分鐘左右的時間。

　　“優(yōu)芯4號”的另一大技術(shù)亮點是內(nèi)部集成了BCH算法ECC電路，每512Byte數(shù)據(jù)最大可糾正8bit數(shù)據(jù)錯誤，這一糾錯能力在以往閃存盤基礎上提高了4倍左右，將大大提高閃存盤數(shù)據(jù)存儲與傳輸?shù)姆�(wěn)定性，并可以滿足更多的閃存應用需求。

　　此外，“優(yōu)芯4號”還采用了朗科公司獨有的動態(tài)負載平衡技術(shù)和動態(tài)壞塊替換管理技術(shù)，可以大幅提高閃存壽命。據(jù)悉， Flash閃存芯片理論上擁有“100萬次擦寫”的使用壽命，但如果沒有動態(tài)負載平衡和動態(tài)壞塊替換管理技術(shù)的支持，很多閃存盤的實際使用壽命會低于1000次。

　　閃存應用日益廣泛，朗科暢享新蛋糕

　　朗科推出“優(yōu)芯4號”控制芯片的另外一個背景是閃存應用的范圍正日益廣泛。從業(yè)已廣泛流傳的MP3、MP4等移動影音產(chǎn)品，到音樂手機、電視機、甚至汽車電子產(chǎn)品領域，閃存存儲的觸角已經(jīng)無所不在。

　　“從全球范圍內(nèi)來看，這是一個高達1000億美元規(guī)模的產(chǎn)業(yè)群。”有業(yè)內(nèi)人士表示，可以想象將來閃存應用的市場規(guī)模會有多大。

　　“雖然這些領域都要用到閃存存儲技術(shù)，但絕不是簡單地購買幾個閃存盤，而是要將閃存技術(shù)完美地整合到自己的產(chǎn)品中去，而且不同廠商可能會選擇不同的芯片、模塊或解決方案。” 有分析人士表示，閃存企業(yè)要想從中分一杯羹，除了具備芯片級技術(shù)開發(fā)能力之外，還必須具備整體方案解決能力。

　　據(jù)悉，“優(yōu)芯4號”支持目前市場上主流廠商的不同制程、不同容量的閃存芯片；支持SLC、MLC和AGAND等閃存芯片，具備強大的FlashFree技術(shù)，能實時支持最新的閃存類型，因而具有十分廣泛的市場前景。

　　“作為國內(nèi)閃存應用領域唯一的芯片級供應商，朗科公司無疑將在這一新興市場大有作為。”分析人士還指出，不排除未來會有更多的閃存企業(yè)加入競爭的可能。到那時，閃存市場的競爭儼然已是“芯片級”了，行業(yè)的整體技術(shù)競爭力將大幅度提升。

　　據(jù)悉，此前國內(nèi)電視巨頭創(chuàng)維和朗科的合作，雙方聯(lián)合研制支持USB高清電影播放和下載功能的電視機新功能，就已經(jīng)為朗科的控制芯片打開了一個市場缺口。